小注入直接复合过程中的净复合率取决于()子。

对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。 A: [img=48x23]1802f7f8b18ae98.png[/img] B: [img=48x23]1802f7f8baa2a2d.png[/img] C: [img=45x23]1802f7f8c297d6d.png[/img] D: [img=46x23]1802f7f8ca89fed.png[/img]

2022-10-26 问题

四探针法测量电阻率的测准条件包括______。 A: 样品的几何尺寸必须近似满足半无限大 B: 测量区域的电阻率应是均匀的 C: 四根探针应处于同一平面的同一条直线上 D: 四探针与试样应有良好的欧姆接触 E: 小注人弱电场情况下进行测量 F: 电流在测量期间应保持恒定

四探针法测量电阻率的测准条件包括______。 A: 样品的几何尺寸必须近似满足半无限大 B: 测量区域的电阻率应是均匀的 C: 四根探针应处于同一平面的同一条直线上 D: 四探针与试样应有良好的欧姆接触 E: 小注人弱电场情况下进行测量 F: 电流在测量期间应保持恒定

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小注入直接复合过程中的净复合率取决于()子。

地形图上，山头和洼地的等高线形态相似，而高程大小注记顺序相反。

双极型晶体管发生大注入时，少子扩散系数是小注入时的二分之一。

双极型晶体管发生大注入时，少子扩散系数是小注入时的二分之一。 A: 正确 B: 错误

正式刊刻的古籍多采用的注释形式是（）。 A: 眉批 B: 朱批 C: 夹注 D: 旁注 E: 双行小注

A1/A2型题 正式刊刻的古籍多采用的注释形式是（） A: 眉批 B: 朱批 C: 夹注 D: 旁注 E: 双行小注

中国大学MOOC: 大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用，效果上相当于扩散系数增加一倍。

大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用，效果上相当于扩散系数增加一倍。 A: 正确 B: 错误

A1/A2型题正式刊刻的古籍多采用的注释形式是（） A: 眉批 B: 朱批 C: 夹注 D: 旁注 E: 双行小注