下列八面体络合物的电子结构中哪个将发生较大的畸变？ ( ) A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g )3(eg )2 C: (t2g )4(eg )2 D: (t2g )6(eg )3

75.在八面体配合物中 ,可能发生大畸变的电子结构为 A: (t2g)5(eg)2 B: (t2g)4(eg)2 C: (t2g)6(eg)3 D: (t2g)4(eg)0

发动机的主要参数显示在上ECAM的是：（）。 A: EP B: EG C: N1、F D: N3 E: EP F: EG G: N1、N2、FF H: EP I: EG J: N1、VIBN1、VIBN2 K: EP L: EG M: N1、N2、N3

下列推导正确的是 。 A: (1) F(x)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG B: (1)F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃x(F(x)→G(x)) (1)EG C: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃y(F(y)→G(x)) (1)EG D: (1) F(a)→G(x) 前提引入 (2)∃xF(x)→G(x) (1)EG

A．I＜INT（J/2)B．I＞INT（J/2)C．I=INT（J/2)D．I＜J/2 A: I＜INT(J/2) B: I＞INT(J/2) C: I=INT(J/2) D: I＜J/2

【单选题】运行下面的程序，得到的输出是()#include<stdio.h>int main() { int i, j; for(i=1;i<=2;i++) for(j=1;j<=2;j++) printf("i=%d, j=%d ",i,j);} A. i=1,  j=1 i=1 , j=2 i=2 , j=1 i=2 , j=2 B. i=1,  j=1 i=2 , j=1 i=1 , j=2 i=2 , j=2 C. i=1,  j=1 i=2 , j=2 i=1 , j=1 i=2 , j=2 D. i=1,  j=1 i=1 , j=1 i=2 , j=2 i=2 , j=2

运行下面的程序，得到的输出是（）#include&lt;stdio.h&gt;int main() { int i, j; for(i=1;i&lt;=2;i++) for(j=1;j&lt;=2;j++) printf(&quot;i=%d, j=%d\n&quot;,i,j);}? i=1,;;j=1i=1;, j=2i=2;, j=1i=2;, j=2|i=1,;;j=1i=2;, j=1i=1;, j=2i=2;, j=2|i=1,;;j=1i=1;, j=1i=2;, j=2i=2;, j=2|i=1,;;j=1i=2;, j=2i=1;, j=1i=2;, j=2

若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg

以下程序输出结果为________。main(){ int i=2,j=3; printf("i=%%d,j=%%%d",i,j);} A: i=%2,j=%3 B: i=%d,j=%2 C: i=%2,j=%%3 D: i=%%d,j=%%%d

SMT电阻一般采用数码标记法表示，关于“2 2 2 J”的阻值和误差计算正确的是： A: 22 2 J = 22×100Ω ±5% B: 2 2 2 J = 22×2Ω ±5% C: 2 2 2 J = 222×1Ω ±5% D: 2 2 2 J = 22×100Ω ±10%