• 2022-06-11 问题

    下列关于航班衔接性质的选项中,哪一项属于航班“经停”的( ) A: SHA(MU5319,18MAR)TYO(CA1225,18MAR)LON; B: SHA(MU5319,20MAR)CAN(MU5319,20MAR)HAK; C: SHA(MU5319,23MAR)TYO(MU5319,24MAR)LON; D: SHA(MU5319,23MAR)CAN(CA1225,24MAR)HAK;

    下列关于航班衔接性质的选项中,哪一项属于航班“经停”的( ) A: SHA(MU5319,18MAR)TYO(CA1225,18MAR)LON; B: SHA(MU5319,20MAR)CAN(MU5319,20MAR)HAK; C: SHA(MU5319,23MAR)TYO(MU5319,24MAR)LON; D: SHA(MU5319,23MAR)CAN(CA1225,24MAR)HAK;

  • 2021-04-14 问题

    【单选题】以下 ()表示从主存 M 中读出数据 A. M(MAR) →MDR B. (MDR)→M(MAR) C. M(MDR) →MAR D. (MAR) →M(MDR)

    【单选题】以下 ()表示从主存 M 中读出数据 A. M(MAR) →MDR B. (MDR)→M(MAR) C. M(MDR) →MAR D. (MAR) →M(MDR)

  • 2022-07-24 问题

    取指周期的节拍安排( )。 A: PC->MAR,1->R B: M(MAR)->MDR,PC+1->PC C: M(MAR)->MDR,MDR->IR D: 空操作

    取指周期的节拍安排( )。 A: PC->MAR,1->R B: M(MAR)->MDR,PC+1->PC C: M(MAR)->MDR,MDR->IR D: 空操作

  • 2021-04-14 问题

    MAR的作用是( )

    MAR的作用是( )

  • 2022-11-25 问题

    ___周期包含的微指令为(1) Ad(IR)→MAR (2) 1→R (3) M(MAR)→MDR。

    ___周期包含的微指令为(1) Ad(IR)→MAR (2) 1→R (3) M(MAR)→MDR。

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

  • 2022-05-31 问题

    设主存储器容量为64K*32位,并且指令字长,存储字长,机器字长三者均相等,请问MAR,PC、MDR,IR等寄存器的位数分别为多少位? A: MAR、PC、MDR、IR都是16位 B: MAR、PC为16位,MDR、IR均为32位 C: MAR、PC为32位,MDR、IR均为16位 D: MAR、PC、MDR、IR都是32位

    设主存储器容量为64K*32位,并且指令字长,存储字长,机器字长三者均相等,请问MAR,PC、MDR,IR等寄存器的位数分别为多少位? A: MAR、PC、MDR、IR都是16位 B: MAR、PC为16位,MDR、IR均为32位 C: MAR、PC为32位,MDR、IR均为16位 D: MAR、PC、MDR、IR都是32位

  • 2021-04-14 问题

    MAR、MDR的位数分别为

    MAR、MDR的位数分别为

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

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