固体催化剂的平均孔半径r与比孔容Vg、比表面积S之间的关系为（）。 A: r＝2Vg/S B: r=Vg/S C: Vg＝r/S D: Vg＝S/r
固体催化剂的平均孔半径r与比孔容Vg、比表面积S之间的关系为（）。 A: r＝2Vg/S B: r=Vg/S C: Vg＝r/S D: Vg＝S/r
船舶对水航速VL,对地航速VG,船速VE,如果VG
船舶对水航速VL,对地航速VG,船速VE,如果VG
若不考虑价格因素，则2003年~2011年九年，江苏金融业增加值年均增速VL、第三产业增加值年均增速VS，地区国内生产总值年均增速VG的大小关系是（）。 A: VS＞VL＞VG B: VL＞VG＞VS C: VL＞VS＞VG D: VS＞VG＞VL
若不考虑价格因素，则2003年~2011年九年，江苏金融业增加值年均增速VL、第三产业增加值年均增速VS，地区国内生产总值年均增速VG的大小关系是（）。 A: VS＞VL＞VG B: VL＞VG＞VS C: VL＞VS＞VG D: VS＞VG＞VL
VG染色中胶原纤维呈()色
VG染色中胶原纤维呈()色
地层原油溶解气油比Rs=Vg/Vos，其中，Vg代表（）。如果此溶解气油比在地层原始状态下测得，又称原始溶解气油比Rsi
地层原油溶解气油比Rs=Vg/Vos，其中，Vg代表（）。如果此溶解气油比在地层原始状态下测得，又称原始溶解气油比Rsi
以下几个选项中，都属于目标检测算法的是（ ） A: GoogleNet、Faster RCNN B: RCNN、SS C: YOLO 、VG D: Faster RCNN E: Faster RCNN、ResNet F: VG G: SS H: GoogleNet、ResNet I: Faster RCNN、VG
以下几个选项中，都属于目标检测算法的是（ ） A: GoogleNet、Faster RCNN B: RCNN、SS C: YOLO 、VG D: Faster RCNN E: Faster RCNN、ResNet F: VG G: SS H: GoogleNet、ResNet I: Faster RCNN、VG
以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（）。 A: 在较大负电压时，C为常数值Cox B: 当Vg=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容 C: 当Vg>0时，低频时C随着Vg增加，并将趋于一个定值 D: 当Vg>0时，高频时C随着Vg减少，并将趋于一个定值
以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（）。 A: 在较大负电压时，C为常数值Cox B: 当Vg=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容 C: 当Vg>0时，低频时C随着Vg增加，并将趋于一个定值 D: 当Vg>0时，高频时C随着Vg减少，并将趋于一个定值
以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（ ）。 A: 在较大负电压时，C为常数值Cox B: 当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容 C: 当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值 D: 当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值
以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（ ）。 A: 在较大负电压时，C为常数值Cox B: 当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容 C: 当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值 D: 当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值
对于n沟增强型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。对于n沟耗尽型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。
对于n沟增强型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。对于n沟耗尽型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。
切工的最高级别为 A: EX B: E C: VG D: G
切工的最高级别为 A: EX B: E C: VG D: G