某位移传感器，当输入量变化5mm时，输出电压变化300mV,其灵敏度为______。 A: 1/60 B: 1/60 mm/mV C: 60 D: 60 mV/mm E: 5mm F: 60mV
某位移传感器，当输入量变化5mm时，输出电压变化300mV,其灵敏度为______。 A: 1/60 B: 1/60 mm/mV C: 60 D: 60 mV/mm E: 5mm F: 60mV
某位移传感器，当输入量变化5mm时，输出电压变化300mv，其灵敏度为（） A: 30 mv/mm B: 60mv/mm C: 1500 D: 1/60
某位移传感器，当输入量变化5mm时，输出电压变化300mv，其灵敏度为（） A: 30 mv/mm B: 60mv/mm C: 1500 D: 1/60
差动放大电路两个输入端的信号ui1=80mV,ui2=60mV,则差模输入信号uid=______ mV,共模输入信号uic=______ mV。
差动放大电路两个输入端的信号ui1=80mV,ui2=60mV,则差模输入信号uid=______ mV,共模输入信号uic=______ mV。
某位移传感器，在输入量变化5mm时，输出电压变化为300mV，其灵敏度为（ ） A: 60mV/mm B: 0.017mV/mV C: 60mm/mV D: 300mV/mm
某位移传感器，在输入量变化5mm时，输出电压变化为300mV，其灵敏度为（ ） A: 60mV/mm B: 0.017mV/mV C: 60mm/mV D: 300mV/mm
某位移传感器，当输入量变化300mm时，输出电压变化5mV,其灵敏度为（ ） A: 1/60（mm/mv） B: 1/60 C: 1/60（mv/mm） D: 60
某位移传感器，当输入量变化300mm时，输出电压变化5mV,其灵敏度为（ ） A: 1/60（mm/mv） B: 1/60 C: 1/60（mv/mm） D: 60
某位移传感器,当输入量变化300mm时,输出电压变化5mV,其灵敏度为()。 A: 60<br/>mm/mV B: 60 C: 1/60<br/>mV/mm D: 1/60
某位移传感器,当输入量变化300mm时,输出电压变化5mV,其灵敏度为()。 A: 60<br/>mm/mV B: 60 C: 1/60<br/>mV/mm D: 1/60
某位移传感器，当输入量变化5mm时，输出电压变化300mv，其灵敏度为（ ）。 A: 40 mv/mm B: 50 mv/mm C: 60 mv/mm D: 70 mv/mm
某位移传感器，当输入量变化5mm时，输出电压变化300mv，其灵敏度为（ ）。 A: 40 mv/mm B: 50 mv/mm C: 60 mv/mm D: 70 mv/mm
芯片在实际工作状态中，温度甚至可以达到400K，这时MOSFET器件的亚阈值摆幅最小可以是（ ） A: 45 mV/dec B: 60 mV/dec C: 70 mV/dec D: 80 mV/dec
芯片在实际工作状态中，温度甚至可以达到400K，这时MOSFET器件的亚阈值摆幅最小可以是（ ） A: 45 mV/dec B: 60 mV/dec C: 70 mV/dec D: 80 mV/dec
如果神经细胞的钠离子平衡电位是+60 mV, 当把膜电位钳制在+80 mV时，钠离子将 A: 外流 B: 内流 C: 内流和外流速度相等 D: 不能确定
如果神经细胞的钠离子平衡电位是+60 mV, 当把膜电位钳制在+80 mV时，钠离子将 A: 外流 B: 内流 C: 内流和外流速度相等 D: 不能确定
如果神经细胞的钠离子平衡电位是+60 mV， 当把膜电位钳制在+80 mV时，钠离子将（ ）。 A: 外流 B: 内流 C: 内流和外流速度相等 D: 不能确定
如果神经细胞的钠离子平衡电位是+60 mV， 当把膜电位钳制在+80 mV时，钠离子将（ ）。 A: 外流 B: 内流 C: 内流和外流速度相等 D: 不能确定