测得某三极管当IB=20 mA时，IC=2 mA；当IB=60 mA时，IC=5.4 mA。求其b、ICEO及ICBO的值。

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]18031ab11ab9e3f.bmp[/img] A: N-JFET，夹断电压Vp是- 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

​一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]180304ce2712286.bmp[/img]‍ A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]18031ab413270f8.bmp[/img] A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

溶于纯水后，溶液pH=5.4的氨基酸，估计其等电点（ ）。 A: 等于5.4 B: 小于5.4 C: 大于5.4 D: 无法估计

电路图如图所示,设β=100,试求:静态工作点IC。 A: 1.8mA B: 2.6mA C: 3.7mA D: 5.4mA

Complete the table below for a 4-20 mA signal: Process Level: Current Level: 5% ( )mA 25% ( )mA 50% ( )mA 75% ( )mA 95% ( ) mA

漏电开关额定漏电动作电流是，不动作电流是（） A: 20 mA、10 mA B: 24 mA、12 mA C: 25 mA、10 mA D: 30 mA、15 mA

She hung on to Ma and sobbed. A: said to Ma B: leaned against Ma C: pushed against Ma D: went to Ma

如下图所示的超声速钝体扰流，1、2区马赫数分别为（ ）[img=478x484]180348f21ccc472.png[/img]‍ A: Ma<1 Ma<1 B: Ma>1 Ma>1 C: Ma<1 Ma>1 D: Ma>1 Ma<1