一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]180304ce2712286.bmp[/img]‍ A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

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2022-07-28

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]180304ce2712286.bmp[/img]‍ A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]180304ce2712286.bmp[/img]‍
A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA
D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

答案：

A

举一反三

内容

0
图所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________）沟道（________）型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。[img=400x400]17e447c4cf53bf4.png[/img]
1
图3-3（b）所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________）沟道（________）型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。
2
场效应管导电移特性曲线图所示，判别以下内容：该管为（________）沟道（________）型（JFET，增强MOS、耗尽MOS），VP或（VT）=（________）；Idss=（________）mA。[img=255x361]17e447c4c277c31.png[/img]
3
表征场效应管放大能力的重要参数是。 A: 夹断电压Up B: 低频跨到gm C: 饱和漏极电流IDSS D: 开启电压UT
4
一场效应管漏极特性如图所示，则（1）该场效应管管型为（________）（填写如“NDMOS”、“PEMOS”等）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。[img=232x175]17e447c4b506548.png[/img]