在R、L、C串联电路中，复数阻抗的模Z=( ) A: XL2+(R+Xc)2 B: Xc2+(R+XL)2 C: R2+(XL+Xc)2 D: R2+(XL+Xc)2
在R、L、C串联电路中，复数阻抗的模Z=( ) A: XL2+(R+Xc)2 B: Xc2+(R+XL)2 C: R2+(XL+Xc)2 D: R2+(XL+Xc)2
对同一元素，原子半径和离子半径顺序正确的是( )。 A: －＞r＞r+＞r2+ B: －＞r＞r2+＞r+ C: 2+＞r+＞r＞r－ D: ＞r－＞r2+＞r+
对同一元素，原子半径和离子半径顺序正确的是( )。 A: －＞r＞r+＞r2+ B: －＞r＞r2+＞r+ C: 2+＞r+＞r＞r－ D: ＞r－＞r2+＞r+
串联与c并联电路发生谐振的条件是（） A: ωL=1/（ωC） B: R2+（ωL）2=L/C C: R2+（ωL）2=ωC D: R2+（ωL）2=[1/（ωC）]2
串联与c并联电路发生谐振的条件是（） A: ωL=1/（ωC） B: R2+（ωL）2=L/C C: R2+（ωL）2=ωC D: R2+（ωL）2=[1/（ωC）]2
在R、L、C串联电路中, 复数阻抗模Z=()。 A: R2+L2＋C2 B: (R2＋L2)C2 C: R+X L-XC D: [R2+(X L-XC )2 ]1/2
在R、L、C串联电路中, 复数阻抗模Z=()。 A: R2+L2＋C2 B: (R2＋L2)C2 C: R+X L-XC D: [R2+(X L-XC )2 ]1/2
穿过三层平壁的稳态导热过程，已知各层温差Δt1=40℃， Δt2=35℃，Δt3=5℃，则第一层热阻与第二、三层热阻R的关系为 。 A: R1＞R2+ R 3 B: R1＜R2+R3 C: 1/R1=1/R2+ 1/R3 D: R1=R2+R3
穿过三层平壁的稳态导热过程，已知各层温差Δt1=40℃， Δt2=35℃，Δt3=5℃，则第一层热阻与第二、三层热阻R的关系为 。 A: R1＞R2+ R 3 B: R1＜R2+R3 C: 1/R1=1/R2+ 1/R3 D: R1=R2+R3
RL串联与C并联电路发生谐振的条件是R2+（ωL）2=LC。
RL串联与C并联电路发生谐振的条件是R2+（ωL）2=LC。
两柱面\( {x^2} + {y^2} = {R^2} \) ，\( {x^2} + {z^2} = {R^2} \) 所围立体体积为（ ） A: \( 8{R^2} \) B: \( 10{R^2} \) C: \( 12{R^2} \) D: \( 16{R^2} \)
两柱面\( {x^2} + {y^2} = {R^2} \) ，\( {x^2} + {z^2} = {R^2} \) 所围立体体积为（ ） A: \( 8{R^2} \) B: \( 10{R^2} \) C: \( 12{R^2} \) D: \( 16{R^2} \)
【单选题】电桥平衡条件是: A. R 1 R 3 = R 2 R 4 B. R 1 R 4 = R 2 R 3 C. R 1 R 2 = R 3 R 4 D. R 1> R 4 , R 2> R 3
【单选题】电桥平衡条件是: A. R 1 R 3 = R 2 R 4 B. R 1 R 4 = R 2 R 3 C. R 1 R 2 = R 3 R 4 D. R 1> R 4 , R 2> R 3
穿过三层平壁的稳定导热过程,已知各层温差Δt1=40℃, Δt2=70℃,Δt3=30℃,则第一层热阻与第二、三层热阻的关系为。 A: R1>;R2+ R3 B: R1=R2+ R3 C: R3=R2+ R1 D: R2=R1+ R3
穿过三层平壁的稳定导热过程,已知各层温差Δt1=40℃, Δt2=70℃,Δt3=30℃,则第一层热阻与第二、三层热阻的关系为。 A: R1>;R2+ R3 B: R1=R2+ R3 C: R3=R2+ R1 D: R2=R1+ R3
设有关系R（A，B，C），在下列的等式中，哪一个是不成立的？（） A: σA<2（πA，B（R））=πA，B（σA<2（R）） B: πA，C（σA<2（R））=σA<2（πA，C（R）） C: πB，C（σA<2（R））=σA<2（πB，C（R）） D: πA（πA，B（R））=πA（R）
设有关系R（A，B，C），在下列的等式中，哪一个是不成立的？（） A: σA<2（πA，B（R））=πA，B（σA<2（R）） B: πA，C（σA<2（R））=σA<2（πA，C（R）） C: πB，C（σA<2（R））=σA<2（πB，C（R）） D: πA（πA，B（R））=πA（R）