最有效的复合中心能级位置在（ ） 附近。 A: EA B: ED C: EF D: Ei
最有效的复合中心能级位置在（ ） 附近。 A: EA B: ED C: EF D: Ei
一平行板电容器始终与电压一定的电源相联。当电容器两极板间为真空时，电场强度为0，...9ea2b0d322a440ea.PNG
一平行板电容器始终与电压一定的电源相联。当电容器两极板间为真空时，电场强度为0，...9ea2b0d322a440ea.PNG
最有效的复合中心能级位置在 附近;最有利陷阱作用的能级位置在 附近。 A: EA或ED Ei B: Ei EA或ED C: EF Ei D: Ei E: F:
最有效的复合中心能级位置在 附近;最有利陷阱作用的能级位置在 附近。 A: EA或ED Ei B: Ei EA或ED C: EF Ei D: Ei E: F:
试判断下列化合物的逆合成步骤合理吗？[img=861x171]17869ea218960ef.png[/img] A: 对 B: 错
试判断下列化合物的逆合成步骤合理吗？[img=861x171]17869ea218960ef.png[/img] A: 对 B: 错
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。 A: EA， B: ED， C: EF， D: Ei
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。 A: EA， B: ED， C: EF， D: Ei
[img=91x21]17de8822e93cbeb.png[/img]是吸热反应，正反应的活化能为Ea(1)，逆反应的活化能为Ea(2)，那么（ ）。 A: Ea(1)<;Ea(2) B: Ea(1)>;Ea(2) C: Ea(1)=Ea(2) D: Ea(1)=2Ea
[img=91x21]17de8822e93cbeb.png[/img]是吸热反应，正反应的活化能为Ea(1)，逆反应的活化能为Ea(2)，那么（ ）。 A: Ea(1)<;Ea(2) B: Ea(1)>;Ea(2) C: Ea(1)=Ea(2) D: Ea(1)=2Ea
若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea´,则正反应的热效应∆rHm为 A: ∆rHm=Ea´—Ea B: ∆rHm=|Ea´-Ea| C: ∆rHm=|Ea-Ea´| D: ∆rHm=-(Ea´-Ea)
若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea´,则正反应的热效应∆rHm为 A: ∆rHm=Ea´—Ea B: ∆rHm=|Ea´-Ea| C: ∆rHm=|Ea-Ea´| D: ∆rHm=-(Ea´-Ea)
若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea’，则正反应的热效应 DrHm为 A: DrHm＝Ea’－Ea B: DrHm＝│Ea’－Ea│ C: DrHm＝│Ea－Ea’│ D: DrHm＝－(Ea’－Ea)
若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea’，则正反应的热效应 DrHm为 A: DrHm＝Ea’－Ea B: DrHm＝│Ea’－Ea│ C: DrHm＝│Ea－Ea’│ D: DrHm＝－(Ea’－Ea)
已知复合反应的速率常数和各基元反应的速率常数满足下列关系：k=(k1*k2)/(2k3)，则Ea和各基元反应活化能的关系为（） A: Ea=Ea,1*Ea,2/2Ea,3 B: Ea=Ea,1+Ea,2-2Ea.3 C: Ea=Ea,1+Ea,2-Ea.3 D: Ea=Ea,1*Ea,2/Ea,3
已知复合反应的速率常数和各基元反应的速率常数满足下列关系：k=(k1*k2)/(2k3)，则Ea和各基元反应活化能的关系为（） A: Ea=Ea,1*Ea,2/2Ea,3 B: Ea=Ea,1+Ea,2-2Ea.3 C: Ea=Ea,1+Ea,2-Ea.3 D: Ea=Ea,1*Ea,2/Ea,3