下列FET的中，寄生“平板电容器”效应的是（）。 A: NJFET B: PJEFT C: NEMOS D: BJT
下列FET的中，寄生“平板电容器”效应的是（）。 A: NJFET B: PJEFT C: NEMOS D: BJT
对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。 A: NEMOS B: PDMOS C: NJFET D: PJFET E: NDMOS F: PEMOS
对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。 A: NEMOS B: PDMOS C: NJFET D: PJFET E: NDMOS F: PEMOS
一个FET的输出特性曲线如图所示，则该FET的类型为______。[img=400x344]1803e2df5a262f6.png[/img] A: NEMOS B: NDMOS C: PEMOS D: PDMOS
一个FET的输出特性曲线如图所示，则该FET的类型为______。[img=400x344]1803e2df5a262f6.png[/img] A: NEMOS B: NDMOS C: PEMOS D: PDMOS
一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]1803e2df65568de.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS
一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]1803e2df65568de.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS
一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]18031f5768cdb1d.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS
一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]18031f5768cdb1d.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS
一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]18033615ad5c637.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS
一个FET的转移特性曲线如图所示，则该FET的类型为____。[img=423x283]18033615ad5c637.jpg[/img] A: PEMOS B: PDMOS C: NDMOS D: NEMOS
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