用强度为I,波长为l的 X射线分别照射Li(Z=3)和Fe(Z=26), 若在同一散射角下测得康普顿散射光的波长分别为lLi和lFe , 则( ) A: lLi>lFe B: lLi C: lLi=lFe D: 无法比较
用强度为I,波长为l的 X射线分别照射Li(Z=3)和Fe(Z=26), 若在同一散射角下测得康普顿散射光的波长分别为lLi和lFe , 则( ) A: lLi>lFe B: lLi C: lLi=lFe D: 无法比较
用强度为I,波长为l 的X射线(伦琴射线)分别照射锂(Z = 3)和铁(Z = 26).若在同一散射角下测得康普顿散射的X射线波长分别为lLi和lFe (lLi,lFe >l),它们对应的强度分别为ILi和IFe,则 A: lLi>lFe,ILi< IFe B: lLi=lFe,ILi = IFe C: lLi=lFe,ILi.>IFe D: lLi<lFe,ILi.>IFe
用强度为I,波长为l 的X射线(伦琴射线)分别照射锂(Z = 3)和铁(Z = 26).若在同一散射角下测得康普顿散射的X射线波长分别为lLi和lFe (lLi,lFe >l),它们对应的强度分别为ILi和IFe,则 A: lLi>lFe,ILi< IFe B: lLi=lFe,ILi = IFe C: lLi=lFe,ILi.>IFe D: lLi<lFe,ILi.>IFe
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: I. DRAM芯片的集成度比SRAM高 II. DRAM芯片的成本比SRAM高 lII. DRAM芯片的速度比SRAM快 IV. DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是( )。 A: I和II B: II和IIl C: llI和IV D: I和IV
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: I. DRAM芯片的集成度比SRAM高 II. DRAM芯片的成本比SRAM高 lII. DRAM芯片的速度比SRAM快 IV. DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是( )。 A: I和II B: II和IIl C: llI和IV D: I和IV
关于总线的叙述,以下正确的是()。 I.总线忙信号由总线控制器建立 II.计数器定时查询方式不需要总线同意信号 111.链式查询方式、计数器查询方式、独立请求方式所需控制线路由少到多排序是:桂式查询方式、独立请求方式、计数器查询方式 A: I、111 B: II、111 C: I、llI D: 只有11
关于总线的叙述,以下正确的是()。 I.总线忙信号由总线控制器建立 II.计数器定时查询方式不需要总线同意信号 111.链式查询方式、计数器查询方式、独立请求方式所需控制线路由少到多排序是:桂式查询方式、独立请求方式、计数器查询方式 A: I、111 B: II、111 C: I、llI D: 只有11
1