【单选题】以下 ()表示从主存 M 中读出数据 A. M(MAR) →MDR B. (MDR)→M(MAR) C. M(MDR) →MAR D. (MAR) →M(MDR)
【单选题】以下 ()表示从主存 M 中读出数据 A. M(MAR) →MDR B. (MDR)→M(MAR) C. M(MDR) →MAR D. (MAR) →M(MDR)
下列哪组数据文件可作为tecplot_ise工具的输入文件以查看所计算的电学参量（ ） A: NMOS_mdr.dat及NMOS_mdr.cmd B: PN_des.dat 及PN_des.plt C: BJT_mdr.grd及BJT_des.dat D: 123_mdr. dat及 123_mdr. grd
下列哪组数据文件可作为tecplot_ise工具的输入文件以查看所计算的电学参量（ ） A: NMOS_mdr.dat及NMOS_mdr.cmd B: PN_des.dat 及PN_des.plt C: BJT_mdr.grd及BJT_des.dat D: 123_mdr. dat及 123_mdr. grd
MDR的位数反映
MDR的位数反映
设主存储器容量为64K*32位，并且指令字长，存储字长，机器字长三者均相等，请问MAR，PC、MDR，IR等寄存器的位数分别为多少位？ A: MAR、PC、MDR、IR都是16位 B: MAR、PC为16位，MDR、IR均为32位 C: MAR、PC为32位，MDR、IR均为16位 D: MAR、PC、MDR、IR都是32位
设主存储器容量为64K*32位，并且指令字长，存储字长，机器字长三者均相等，请问MAR，PC、MDR，IR等寄存器的位数分别为多少位？ A: MAR、PC、MDR、IR都是16位 B: MAR、PC为16位，MDR、IR均为32位 C: MAR、PC为32位，MDR、IR均为16位 D: MAR、PC、MDR、IR都是32位
MAR、MDR的位数分别为
MAR、MDR的位数分别为
多选题 A: 123 B: 123 C: 123 D: 123
多选题 A: 123 B: 123 C: 123 D: 123
console.log('123'==123); console.log('123'===123); 输出结果为
console.log('123'==123); console.log('123'===123); 输出结果为
【判断题】Excel中,“-123”表示“-123”,而“(123)”表示“+123”。()
【判断题】Excel中,“-123”表示“-123”,而“(123)”表示“+123”。()
下面程序段执行后的输出结果是（）。注：└┘符号代表空格int a=123;printf(“[%4d],[%-4d],[%04d]”,a,a,a); A: [123],[└┘123],[1230] B: [123└┘ ],[└┘123],[0123] C: [└┘123],[123└┘],[0123] D: [└┘123],[123└┘],[173]
下面程序段执行后的输出结果是（）。注：└┘符号代表空格int a=123;printf(“[%4d],[%-4d],[%04d]”,a,a,a); A: [123],[└┘123],[1230] B: [123└┘ ],[└┘123],[0123] C: [└┘123],[123└┘],[0123] D: [└┘123],[123└┘],[173]
下面程序段执行后的输出结果是（）。注：└┘符号代表空格 int a=123; printf(“[%4d],[%-4d],[%04d]”,a,a,a); A: [└┘123],[123└┘],[0123] B: [└┘123],[123└┘],[173] C: [123],[└┘123],[1230] D: [123└┘ ],[└┘123],[0123]
下面程序段执行后的输出结果是（）。注：└┘符号代表空格 int a=123; printf(“[%4d],[%-4d],[%04d]”,a,a,a); A: [└┘123],[123└┘],[0123] B: [└┘123],[123└┘],[173] C: [123],[└┘123],[1230] D: [123└┘ ],[└┘123],[0123]