第四层视吸水量等于Q,4=Q,偏4()
第四层视吸水量等于Q,4=Q,偏4()
请分析下列截交线的边数[img=400x667]180328b186d8547.png[/img] A: P:4;Q:5;R:4 B: P:3;Q:4;R:3 C: P:4;Q:5;R:5 D: P:4;Q:5;R:3
请分析下列截交线的边数[img=400x667]180328b186d8547.png[/img] A: P:4;Q:5;R:4 B: P:3;Q:4;R:3 C: P:4;Q:5;R:5 D: P:4;Q:5;R:3
在点电荷+q的电场中,无穷远处为电势零点,则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π
在点电荷+q的电场中,无穷远处为电势零点,则r处的电势为 A: q/4πrε0 B: 0 C: -q/4πrε0 D: q/4π
点电荷四周电势分布情况,点电荷带电量为q A: q/4πε0r2 B: q/2πε0r C: q/4πε0r D: q/2πε0r2
点电荷四周电势分布情况,点电荷带电量为q A: q/4πε0r2 B: q/2πε0r C: q/4πε0r D: q/2πε0r2
在MATLAB中运行[d,p,q]=gcd(128,36),输出结果是 A: d=4, p=2, q=-8 B: d=4, p=2, q= -7 C: d=4, p=2, q= 8 D: d=4, p=2, q= 7
在MATLAB中运行[d,p,q]=gcd(128,36),输出结果是 A: d=4, p=2, q=-8 B: d=4, p=2, q= -7 C: d=4, p=2, q= 8 D: d=4, p=2, q= 7
如图所示,电荷\(-\)Q 均匀分布在半径为R、长为L的圆弧上,圆弧的两端有一小空隙,空隙长为\(\Delta\)L(\(\Delta\)L< A: \(\frac{-Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0R^2L} \vec i\), \(\frac{-Q}{4\pi\varepsilon_0R}\) B: \(\frac{-Q\Delta L}{8\pi\varepsilon_0R^3} \vec i\), \(\frac{-Q}{4\pi\varepsilon_0R}\) C: \(\frac{Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0R^2L} \vec i\), \(\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0R}\) D: \(\frac{-Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0R^2L} \vec i\), \(\frac{-Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0RL}\)
如图所示,电荷\(-\)Q 均匀分布在半径为R、长为L的圆弧上,圆弧的两端有一小空隙,空隙长为\(\Delta\)L(\(\Delta\)L< A: \(\frac{-Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0R^2L} \vec i\), \(\frac{-Q}{4\pi\varepsilon_0R}\) B: \(\frac{-Q\Delta L}{8\pi\varepsilon_0R^3} \vec i\), \(\frac{-Q}{4\pi\varepsilon_0R}\) C: \(\frac{Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0R^2L} \vec i\), \(\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0R}\) D: \(\frac{-Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0R^2L} \vec i\), \(\frac{-Q\Delta L}{4\pi\varepsilon_0RL}\)
[tex=4.071x1.0]JmyGcAog9jygZp7Rq1MLWw==[/tex] 的[tex=2.714x1.5]5gBBQxurlKmnmisbU4S/NKCQcnz4MEYLK4q+eXeLoHU=[/tex] 信号在访问存储器时为[input=type:blank,size:4][/input]电平, 访问 [tex=1.714x1.357]zZq9ZptXBOUvMjHQCh5vfA==[/tex] 端口时为[input=type:blank,size:4][/input]电平。
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关于“坏死型Q波”描述正确的是: A: Q波深度<同导联R/4 B: Q波时间≥0.04s C: Q波时间≥0.03s,深度≥同导联R/4 D: Q波时间≥0.05s,深度≥同导联R/4 E: Q波时间≥0.06s,深度≥同导联R/4
关于“坏死型Q波”描述正确的是: A: Q波深度<同导联R/4 B: Q波时间≥0.04s C: Q波时间≥0.03s,深度≥同导联R/4 D: Q波时间≥0.05s,深度≥同导联R/4 E: Q波时间≥0.06s,深度≥同导联R/4
必要条件假言推理的有效式是()1【(p←q)∧『p】→『q2(p←q)∧(q→p)3(p←q)∧(p→q)4【(p←q)∧『p】→『p A: 1 B: 2 C: 3 D: 4
必要条件假言推理的有效式是()1【(p←q)∧『p】→『q2(p←q)∧(q→p)3(p←q)∧(p→q)4【(p←q)∧『p】→『p A: 1 B: 2 C: 3 D: 4
与命题公式P→(Q→R)等值的公式是下列4个中的哪一个?(1)(P∨Q)→R (2)(P∧Q)→R(3)(P→Q)→R (4)P→(Q∨R)
与命题公式P→(Q→R)等值的公式是下列4个中的哪一个?(1)(P∨Q)→R (2)(P∧Q)→R(3)(P→Q)→R (4)P→(Q∨R)