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  • 2022-11-04 问题

    室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV

    室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV

  • 2022-11-03 问题

    热中子是指中子能量为（）eV的中子。 A: 25 B: 2.5 C: 0.25 D: 0.025

    热中子是指中子能量为（）eV的中子。 A: 25 B: 2.5 C: 0.25 D: 0.025

  • 2022-06-29 问题

    氢原子基态的电离能为 A: -11.6 eV B: 3.4 eV C: 13.6 eV D: 9.35 eV

    氢原子基态的电离能为 A: -11.6 eV B: 3.4 eV C: 13.6 eV D: 9.35 eV

  • 2022-06-29 问题

    如果氢原子的电离能是13.6 eV， 则Li2+ 的电离能为 （ ） A: 13.6 eV B: 27.2 eV C: 54.4 eV D: 122.4 eV

    如果氢原子的电离能是13.6 eV， 则Li2+ 的电离能为 （ ） A: 13.6 eV B: 27.2 eV C: 54.4 eV D: 122.4 eV

  • 2022-07-23 问题

    如果氢原子的电离能为13.6 ev ,则He+的电离能应为 : A: 13.6 ev B: 6.8 ev C: 54.4 ev D: 79.0 ev

    如果氢原子的电离能为13.6 ev ,则He+的电离能应为 : A: 13.6 ev B: 6.8 ev C: 54.4 ev D: 79.0 ev

  • 2022-06-26 问题

    在气体放电管中，用能量为12.09 eV的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是［ ］。 A: 12.09 eV B: 10.2 eV C: 12.09 eV，10.2 eV和 1.89 eV D: 12.09 eV，10.2 eV和 3.4 eV

    在气体放电管中，用能量为12.09 eV的电子去轰击处于基态的氢原子，此时氢原子所能发射的光子的能量只能是［ ］。 A: 12.09 eV B: 10.2 eV C: 12.09 eV，10.2 eV和 1.89 eV D: 12.09 eV，10.2 eV和 3.4 eV

  • 2022-06-27 问题

    本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV

    本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV

  • 2022-06-29 问题

    ‌如果氢原子的电离能为13.6 eV ，则[img=34x21]17de80b03beced9.png[/img]的电离能应为‌ A: 13.6 eV B: 6.8 eV C: 54.4 eV D: 79.0 eV

    ‌如果氢原子的电离能为13.6 eV ，则[img=34x21]17de80b03beced9.png[/img]的电离能应为‌ A: 13.6 eV B: 6.8 eV C: 54.4 eV D: 79.0 eV

  • 2022-06-01 问题

    当入射光能量为1300 eV，逸出材料表面的电子动能测得为550 eV，功函数为5 eV，则该被激发电子的结合能为 ( ) A: 1850 eV B: 1845 eV C: 755 eV D: 745 eV

    当入射光能量为1300 eV，逸出材料表面的电子动能测得为550 eV，功函数为5 eV，则该被激发电子的结合能为 ( ) A: 1850 eV B: 1845 eV C: 755 eV D: 745 eV

  • 2022-06-17 问题

    半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV

    半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV

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