有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2,管内充满均匀介质,其磁导率分别为µ1和µ2,设r1:r2=1:2,µ1:µ2=2:1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定,其自感系数之比L1:L2与磁能之比Wm1:Wm2为: A: L1:L2=1:1,Wm1:Wm2=1:1 B: L1:L2=1:2,Wm1:Wm2=1:1 C: L1:L2=1:2,Wm1:Wm2=1:2 D: L1:L2=1:2,Wm1:Wm2=2:1
有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2,管内充满均匀介质,其磁导率分别为µ1和µ2,设r1:r2=1:2,µ1:µ2=2:1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定,其自感系数之比L1:L2与磁能之比Wm1:Wm2为: A: L1:L2=1:1,Wm1:Wm2=1:1 B: L1:L2=1:2,Wm1:Wm2=1:1 C: L1:L2=1:2,Wm1:Wm2=1:2 D: L1:L2=1:2,Wm1:Wm2=2:1
有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2.管内充满均匀介质,其磁导率分别为m1和m2.设r1∶r2=1∶2,m1∶m2=2∶1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后,其自感系数之比L1∶L2与磁能之比Wm1∶Wm2分别为: A: L1∶L2=1∶1,Wm1∶Wm2=1∶1 B: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶2 C: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶1 D: L1∶L2=2∶1,Wm1∶Wm2=2∶1
有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2.管内充满均匀介质,其磁导率分别为m1和m2.设r1∶r2=1∶2,m1∶m2=2∶1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后,其自感系数之比L1∶L2与磁能之比Wm1∶Wm2分别为: A: L1∶L2=1∶1,Wm1∶Wm2=1∶1 B: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶2 C: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶1 D: L1∶L2=2∶1,Wm1∶Wm2=2∶1
有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2.管内充满均匀介质,其磁导率分别为μ1和μ2.设r1∶r2=1∶2,μ1∶μ2=2∶1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后,其自感系数之比L1∶L2与磁能之比Wm1∶Wm2分别为: A: L1∶L2=1∶1,Wm1∶Wm2 =1∶1. B: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2 =1∶1. C: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2 =1∶2. D: L1∶L2=2∶1,Wm1∶Wm2 =2∶1.
有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2.管内充满均匀介质,其磁导率分别为μ1和μ2.设r1∶r2=1∶2,μ1∶μ2=2∶1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后,其自感系数之比L1∶L2与磁能之比Wm1∶Wm2分别为: A: L1∶L2=1∶1,Wm1∶Wm2 =1∶1. B: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2 =1∶1. C: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2 =1∶2. D: L1∶L2=2∶1,Wm1∶Wm2 =2∶1.
(磁场能量、新)有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2。管内充满均匀介质,其磁导率分别为m1和m2。设r1∶r2=1∶2,m1∶m2=2∶1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后,其自感系数之比L1∶L2与磁能之比Wm1∶Wm2分别为: A: L1∶L2=1∶1,Wm1∶Wm2=1∶1 B: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶1 C: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶2 D: L1∶L2=2∶1,Wm1∶Wm2=2∶1
(磁场能量、新)有两个长直密绕螺线管,长度及线圈匝数均相同,半径分别为r1和r2。管内充满均匀介质,其磁导率分别为m1和m2。设r1∶r2=1∶2,m1∶m2=2∶1,当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后,其自感系数之比L1∶L2与磁能之比Wm1∶Wm2分别为: A: L1∶L2=1∶1,Wm1∶Wm2=1∶1 B: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶1 C: L1∶L2=1∶2,Wm1∶Wm2=1∶2 D: L1∶L2=2∶1,Wm1∶Wm2=2∶1
金属与N型半导体形成阻挡层,满足() A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
金属与N型半导体形成阻挡层,满足() A: Wm>Ws B: Wm<Ws C: Wm= Ws D: 无法确定
金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是( )。 A: Wm>Ws,n型 B: Wm>Ws,p型 C: Wm<Ws,n型 D: Wm<Ws,p型
金属和某半导体接触形成电子阻挡层的条件是( )。 A: Wm>Ws,n型 B: Wm>Ws,p型 C: Wm<Ws,n型 D: Wm<Ws,p型
在降雨径流相关图上,45°线相当于Pa()的等值线。 A: 等于WM B: 大于WM C: 小于WM D: 等于零
在降雨径流相关图上,45°线相当于Pa()的等值线。 A: 等于WM B: 大于WM C: 小于WM D: 等于零
WM是什么
WM是什么
金属与n 型半导体形成阻挡层,其功函数需满足( ) A: Wm>Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm <Ws
金属与n 型半导体形成阻挡层,其功函数需满足( ) A: Wm>Ws B: 其他 C: Wm =Ws D: Wm <Ws
对于理想MIS结构(半导体为p型),功函数差造成C-V特性曲线向右偏移,此时( ) A: Wm<Ws B: Wm>Ws C: Wm=Ws D: 无法比较
对于理想MIS结构(半导体为p型),功函数差造成C-V特性曲线向右偏移,此时( ) A: Wm<Ws B: Wm>Ws C: Wm=Ws D: 无法比较