投资与经济增长理论采用描述经济增长的简化模型，即( )。 A: Y=i/k-n/k(d-u) B: Y=i/k-n/k C: Y=i/k-(u-d) D: Y=i/k-n/k×d
投资与经济增长理论采用描述经济增长的简化模型，即( )。 A: Y=i/k-n/k(d-u) B: Y=i/k-n/k C: Y=i/k-(u-d) D: Y=i/k-n/k×d
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。 A: U＞U＞U B: U＞U＞U C: U＜U＜U D: U＜U＞U
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。 A: U＞U＞U B: U＞U＞U C: U＜U＜U D: U＜U＞U
u (5-t) u (t)= ： A: u (t)- u (t-5) B: u (t) C: u (t)- u (5-t) D: u (5-t)
u (5-t) u (t)= ： A: u (t)- u (t-5) B: u (t) C: u (t)- u (5-t) D: u (5-t)
在RL串联电路电压三角形中功率因数Cosφ＝（）。 A: U/U B: U/U C: U/U D: U/U
在RL串联电路电压三角形中功率因数Cosφ＝（）。 A: U/U B: U/U C: U/U D: U/U
计算u(3-t)u(t)=( ) A: u(t)-u(t-3) B: u(t) C: u(t)-u(3-t) D: u(3-t)
计算u(3-t)u(t)=( ) A: u(t)-u(t-3) B: u(t) C: u(t)-u(3-t) D: u(3-t)
已知某电路中Uab=－5V，Ubc=3V，则a、b、c三点电位的高低为（）。 A: U＞U＞U B: U＞U＞U C: U＞U＞U D: U＞U＞U
已知某电路中Uab=－5V，Ubc=3V，则a、b、c三点电位的高低为（）。 A: U＞U＞U B: U＞U＞U C: U＞U＞U D: U＞U＞U
令f1(t)=u(t),f2(t)=(t)求u(t+2)-u(t-2)*的值 A: u(t+6)-u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) B: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)+u(t-6) C: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) D: u(t+6)-u(t+2)-u(t+2)+u(t-6)
令f1(t)=u(t),f2(t)=(t)求u(t+2)-u(t-2)*的值 A: u(t+6)-u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) B: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)+u(t-6) C: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) D: u(t+6)-u(t+2)-u(t+2)+u(t-6)
渗流模型流速u与实际渗流流速u＇相比较（）。 A: u>u＇ B: u=u＇ C: u D: 不确定
渗流模型流速u与实际渗流流速u＇相比较（）。 A: u>u＇ B: u=u＇ C: u D: 不确定
在晶闸管整流电路中，若有U A: U=U B: U=（2～3）U C: U=（5～10）U D: U≥10U
在晶闸管整流电路中，若有U A: U=U B: U=（2～3）U C: U=（5～10）U D: U≥10U
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在U A: U＞U B: U＜U C: U=0 D: U＞U
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在U A: U＞U B: U＜U C: U=0 D: U＞U