现代可编程逻辑器件中主要采用的编程工艺有: A: CMOS B: E2CMOS C: 熔丝式 D: 掩模式
现代可编程逻辑器件中主要采用的编程工艺有: A: CMOS B: E2CMOS C: 熔丝式 D: 掩模式
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
集成电路74LS00为( )。 A: TTL四2输入与非门 B: TTL双4输入与非门 C: CMOS四2输入与非门 D: CMOS双4输入与非门
集成电路74LS00为( )。 A: TTL四2输入与非门 B: TTL双4输入与非门 C: CMOS四2输入与非门 D: CMOS双4输入与非门
(2)CMOS反相器的动态功耗与工艺尺寸无关。
(2)CMOS反相器的动态功耗与工艺尺寸无关。
在系统可编程逻辑器件采用 编程单元。 A: E2CMOS B: 熔丝 C: SRAM D: 隧道型浮栅单元
在系统可编程逻辑器件采用 编程单元。 A: E2CMOS B: 熔丝 C: SRAM D: 隧道型浮栅单元
构成复杂CMOS逻辑电路的基本单元电路是()。 A: CMOS反相器 B: CMOS与非门 C: CMOS或非门 D: CMOS传输门
构成复杂CMOS逻辑电路的基本单元电路是()。 A: CMOS反相器 B: CMOS与非门 C: CMOS或非门 D: CMOS传输门
CMOS传感器可以分为线阵CMOS和面阵CMOS。
CMOS传感器可以分为线阵CMOS和面阵CMOS。
下列CMOS器件可以当做模拟开关使用的是()。 A: CMOS反相器 B: CMOS与非门 C: CMOS或非门 D: CMOS传输门
下列CMOS器件可以当做模拟开关使用的是()。 A: CMOS反相器 B: CMOS与非门 C: CMOS或非门 D: CMOS传输门
CMOS的基本单元是CMOS反相器和CMOS传输门。
CMOS的基本单元是CMOS反相器和CMOS传输门。
下列器件通常被当做CMOS电路的缓冲器使用的是 。 A: CMOS反相器 B: CMOS与非门 C: CMOS异或门 D: CMOS传输门
下列器件通常被当做CMOS电路的缓冲器使用的是 。 A: CMOS反相器 B: CMOS与非门 C: CMOS异或门 D: CMOS传输门