For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA
For an n-channel depletion MOSFET, IDSS = 8 mA and VP = -6 V. If VGS = 0.8 V, what is the value of the drain current, ID? A: 8 mA B: 10.25 μA C: 10.28 mA D: 6 mA
For an n-channel JFFT, IDSS = 8 mA, and VP = -6 V. If VGS = -2 V. What is the value of the drain current ID? A: 2.666 mA B: 3.5 mA C: 3.55 mA D: 5.33 mA
For an n-channel JFFT, IDSS = 8 mA, and VP = -6 V. If VGS = -2 V. What is the value of the drain current ID? A: 2.666 mA B: 3.5 mA C: 3.55 mA D: 5.33 mA
下列智商最高的人是() A: CA=4,MA=5 B: CA=5,MA=6 C: CA=6,MA=7 D: CA=7,MA=8
下列智商最高的人是() A: CA=4,MA=5 B: CA=5,MA=6 C: CA=6,MA=7 D: CA=7,MA=8
下列智商最高的人是() A: ACA=4,MA=5 B: BCA=5,MA=6 C: CCA=6,MA=7 D: DCA=7,MA=8
下列智商最高的人是() A: ACA=4,MA=5 B: BCA=5,MA=6 C: CCA=6,MA=7 D: DCA=7,MA=8
如图所示电路中,已知 I1 = 8 mA ,I4 = 6 mA,I5 = 12mA ,则 I6=________,I2=________。4a1356ea7ba928e41144861ad04244dd.PNG
如图所示电路中,已知 I1 = 8 mA ,I4 = 6 mA,I5 = 12mA ,则 I6=________,I2=________。4a1356ea7ba928e41144861ad04244dd.PNG
AgI的实际配位数为() A: 4 B: 5 C: 6 D: 8
AgI的实际配位数为() A: 4 B: 5 C: 6 D: 8
已知某型号的TTL与非门的IIH(max)=0.02 mA,IIL(max)=0.4 mA,IOH(max)=0.4 mA,IOL(max)=8 mA,则该与非门的扇出系数为 个。
已知某型号的TTL与非门的IIH(max)=0.02 mA,IIL(max)=0.4 mA,IOH(max)=0.4 mA,IOL(max)=8 mA,则该与非门的扇出系数为 个。
用一个0.5级的电流表(量程为7.5mA,面板刻度为150格)测量一个电路中的电流,下列哪个测量数据记录是正确 的( ) A: 8.00 mA B: 8.000 mA C: 8.0 mA D: 8 mA
用一个0.5级的电流表(量程为7.5mA,面板刻度为150格)测量一个电路中的电流,下列哪个测量数据记录是正确 的( ) A: 8.00 mA B: 8.000 mA C: 8.0 mA D: 8 mA
AgI 水溶胶以过量的 AgNO3 为稳定剂时, 胶粒的表达式为( ) 。 A: (AgI)m B: (AgI)m · nAg+ C: [(AgI)m· nAg+·(n-x)NO3-]x+ D: [(AgI)m·(n-x)NO3-]x-
AgI 水溶胶以过量的 AgNO3 为稳定剂时, 胶粒的表达式为( ) 。 A: (AgI)m B: (AgI)m · nAg+ C: [(AgI)m· nAg+·(n-x)NO3-]x+ D: [(AgI)m·(n-x)NO3-]x-
以AgNO3为稳定剂的AgI溶胶的胶体粒子为()。 A: [AgI(s)m]·nAg+ B: [AgI(s)]m·nAg+·(n-x)NO-3x+ C: [AgI(s)]m·Ag+·(n-x)NO-3x+·xNO-3 D: [AgI(s)]m
以AgNO3为稳定剂的AgI溶胶的胶体粒子为()。 A: [AgI(s)m]·nAg+ B: [AgI(s)]m·nAg+·(n-x)NO-3x+ C: [AgI(s)]m·Ag+·(n-x)NO-3x+·xNO-3 D: [AgI(s)]m