• 2022-07-29 问题

    增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

    增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

  • 2022-10-29 问题

    对N沟道JFET管工作在恒流区时( ),工作在可变电阻区时( ),工作在预夹断状态时( )。 A: UDS=(UGS-UGS(th)) B: UDS<(UGS-UGS(th)) C: UDS>(UGS-UGS(th))

    对N沟道JFET管工作在恒流区时( ),工作在可变电阻区时( ),工作在预夹断状态时( )。 A: UDS=(UGS-UGS(th)) B: UDS<(UGS-UGS(th)) C: UDS>(UGS-UGS(th))

  • 2022-07-26 问题

    为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS<;0,UDS>;0 B: UGS>;0,UDS>;0 C: UGS<;0,UDS<;0 D: UGS>;0,UDS<;0

    为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS<;0,UDS>;0 B: UGS>;0,UDS>;0 C: UGS<;0,UDS<;0 D: UGS>;0,UDS<;0

  • 2022-10-29 问题

    P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: UGST,UDS≥UDS-UT B: UGST,UDS≤UGS-UT C: UGS>UT,UDS≥UDS-UT D: UGS>UT,UDS≤UGS-UT

    P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: UGST,UDS≥UDS-UT B: UGST,UDS≤UGS-UT C: UGS>UT,UDS≥UDS-UT D: UGS>UT,UDS≤UGS-UT

  • 2022-07-26 问题

    为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS&lt;0,UDS&gt;0 B: UGS&gt;0,UDS&gt;0 C: UGS&lt;0,UDS&lt;0 D: UGS&gt;0,UDS&lt;0

    为使N沟道结型场效应管正常工作,应保证() A: UGS&lt;0,UDS&gt;0 B: UGS&gt;0,UDS&gt;0 C: UGS&lt;0,UDS&lt;0 D: UGS&gt;0,UDS&lt;0

  • 2022-11-01 问题

    为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区,应满足 。 A: uGS>0,uDS<0 B: uGS>0,uDS>0 C: uGS<0,uDS>0 D: uGS<0,uDS<0

    为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区,应满足 。 A: uGS>0,uDS<0 B: uGS>0,uDS>0 C: uGS<0,uDS>0 D: uGS<0,uDS<0

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

  • 2021-04-14 问题

    结型场效应管中,外加电压UGS和UDS 的极性()

    结型场效应管中,外加电压UGS和UDS 的极性()

  • 2022-07-25 问题

    比较化合物乙酸(Ⅰ)、乙醇(Ⅱ)、苯酚(Ⅲ)、碳酸(Ⅳ)的酸性大小( ) A: Ⅰ&gt;Ⅲ&gt;Ⅱ&gt;Ⅳ B: Ⅰ&gt;Ⅳ&gt;Ⅲ&gt;Ⅱ C: Ⅰ&gt;Ⅱ&gt;Ⅳ&gt;Ⅲ D: Ⅰ&gt;Ⅲ&gt;Ⅳ&gt;Ⅱ

    比较化合物乙酸(Ⅰ)、乙醇(Ⅱ)、苯酚(Ⅲ)、碳酸(Ⅳ)的酸性大小( ) A: Ⅰ&gt;Ⅲ&gt;Ⅱ&gt;Ⅳ B: Ⅰ&gt;Ⅳ&gt;Ⅲ&gt;Ⅱ C: Ⅰ&gt;Ⅱ&gt;Ⅳ&gt;Ⅲ D: Ⅰ&gt;Ⅲ&gt;Ⅳ&gt;Ⅱ

  • 2022-10-30 问题

    MOSFET转移特性为uDS与电流ID之间的关系曲线

    MOSFET转移特性为uDS与电流ID之间的关系曲线

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