对于STM32F1系列微控制器的命名，“STM32F103RBT6”型号名称中代表闪存存储器容量的部分是（ ）。 A: STM32 B: 103 C: B D: T6
对于STM32F1系列微控制器的命名，“STM32F103RBT6”型号名称中代表闪存存储器容量的部分是（ ）。 A: STM32 B: 103 C: B D: T6
STM32F407ZET6命名中的32、F、429、I、G、T、6的含义？
STM32F407ZET6命名中的32、F、429、I、G、T、6的含义？
示数为103的瓷片电容的电容值为？ A: 1μf B: 0.1μf C: 0.01μf D: 103μf E: 103pf F: 103nf
示数为103的瓷片电容的电容值为？ A: 1μf B: 0.1μf C: 0.01μf D: 103μf E: 103pf F: 103nf
示数为103的瓷片电容的电容值为？ A: 1μf B: 0.1μf C: 0.01μf D: 103μf E: 103pf F: 103nf
示数为103的瓷片电容的电容值为？ A: 1μf B: 0.1μf C: 0.01μf D: 103μf E: 103pf F: 103nf
设f（x）=x2+bx+c且f（0）=f（2），则（ ） A: f(-2)＜c＜f(32) B: f(32)＜c＜f(-2) C: f(32)＜f(-2)＜c D: c＜f(32)＜f(-2)
设f（x）=x2+bx+c且f（0）=f（2），则（ ） A: f(-2)＜c＜f(32) B: f(32)＜c＜f(-2) C: f(32)＜f(-2)＜c D: c＜f(32)＜f(-2)
已知f（x）=ax2-3ax+a2-1（a＜0），则f（3），f（-3），f（32）从小到大的顺序是f（-3）＜f（3）＜f（32）f（-3）＜f（3）＜f（32）．
已知f（x）=ax2-3ax+a2-1（a＜0），则f（3），f（-3），f（32）从小到大的顺序是f（-3）＜f（3）＜f（32）f（-3）＜f（3）＜f（32）．
向量(1,2,3)与向量(4,5,6)和(7,8,9)的混合积是 A: 0 B: 1 C: 6 D: 7 E: 32 F: -1 G: -32
向量(1,2,3)与向量(4,5,6)和(7,8,9)的混合积是 A: 0 B: 1 C: 6 D: 7 E: 32 F: -1 G: -32
已知环比增长速度为3%、4%、6%,则定基增长速度为()。 A: 3%×4%×6% B: 3%×4%×6%-1 C: 103%×104%×106% D: 103%×104%×106%-1
已知环比增长速度为3%、4%、6%,则定基增长速度为()。 A: 3%×4%×6% B: 3%×4%×6%-1 C: 103%×104%×106% D: 103%×104%×106%-1
不属于国外标准的有（）。 A: B: IN C: YB D: E: STM F: Q/ G: SB
不属于国外标准的有（）。 A: B: IN C: YB D: E: STM F: Q/ G: SB
以STM32 F 103 R B T 6这个型号的芯片为例，该型号的组成为7个部分，简述其命名规则。
以STM32 F 103 R B T 6这个型号的芯片为例，该型号的组成为7个部分，简述其命名规则。