简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~4微米之间，因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中。投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。
举一反三
内容
- 0
浸入式光刻技术可以提高光刻的分辨率。
- 1
以下几种光刻方法中，属于光学曝光的是 A: 接触式 B: 接近式 C: 步进式 D: 扫描式
- 2
中国大学MOOC: 投影式光刻技术主要包括
- 3
投影式光刻技术主要包括 A: 扫描投影 B: 步进投影 C: 扫描步进投影 D: 接触投影
- 4
简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？