关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入! 2022-05-31 N型半导体中自由电子的浓度与 A: 掺杂浓度有关 B: 与环境温度有关 C: 与光照强弱有关 D: 与本征激发有关 N型半导体中自由电子的浓度与A: 掺杂浓度有关B: 与环境温度有关C: 与光照强弱有关D: 与本征激发有关 答案: 查看 举一反三 本征半导体的载流子的浓度与 A: 温度有关 B: 掺杂浓度有关 C: 掺杂材质有关 D: 外加电压大小有关 本征半导体中自由电子与空穴的浓度与温度无关,与材料本身有关。 在杂质半导体中多子的数量与 ( )有关; A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 光照 D: 掺杂类型 对一定的半导体,其本征载流子浓度()。 A: 与温度无关,与杂质浓度无关 B: 与温度有关,与杂质浓度有关 C: 与温度无关,与杂质浓度有关 D: 与温度有关,与杂质浓度无关 杂质半导体少子的浓度是由本征激发所引起的,因此,与温度有关