杂质半导体少子的浓度是由本征激发所引起的，因此，与温度有关
举一反三
- 杂质半导体中的少子由本征激发产生。 ()
- 有关本征半导体和杂质半导体，以下说法错误的是（ ） A: 本征半导体中自由电子和空穴都由本征激发产生，二者浓度相等 B: 与杂质半导体比较，本征半导体的导电能力对温度变化更加敏感 C: 杂质半导体中多子和少子浓度悬殊，电性相反，导致半导体带电 D: 半导体中可以同时存在扩散电流和漂移电流
- 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度,这是因为载流子浓度主要来源于_________,而将_________忽略不计。( ) A: 杂质电离,本征激发 B: 本征激发,杂质电离 C: 施主电离,本征激发 D: 本征激发,受主电离
- 杂质半导体中，多子数量取决于（）。 A: 温度 B: 本征激发 C: 掺杂浓度 D: 半导体类型
- 只有本征半导体有本征激发,杂质半导体没有本征激发。