14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征半导体中少数载流子的浓度小？
杂质半导体的多数载流子由两部分组成，以N型半导体为例，其多数载流子的绝大部分是由于掺入五价杂质元素后所产生的大量自由电子，另外一小部分来自晶体共价键结构中的电子所受到激发而形成电子-空穴对中的自由电子。
N型半导体中的少数载流子的来源主要是激发所产生的电子-空穴对中的空穴，但是由于掺杂后自由电子数目剧增，加大了自由电子与空穴复合的机会，因为少数载流子空穴的浓度比本征半导体中空穴的浓度更低。
N型半导体中的少数载流子的来源主要是激发所产生的电子-空穴对中的空穴，但是由于掺杂后自由电子数目剧增，加大了自由电子与空穴复合的机会，因为少数载流子空穴的浓度比本征半导体中空穴的浓度更低。
举一反三
内容
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杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A: 大于 B: 等于 C: 小于
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杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?
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在杂质半导体中多数载流子的浓度取决于________，而少数载流子的浓度则与________有关。
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杂质半导体中的少数载流子浓度( )奉征半导体中载流子浓度。 A: 大于 B: 小于 C: 等于 D: 大于等于
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在相同温度下,杂质半导体中少数载流子的浓度()本征半导体中载流子浓度。 A: 高于 B: 等于 C: 低于 D: 不确定