下列描述中那一条 不正确（ ）
A: 金属材料电子浓度很高，RH 很大，UH 很小
B: 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件。
C: 半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体（多电子）
D: 厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
A: 金属材料电子浓度很高，RH 很大，UH 很小
B: 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件。
C: 半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体（多电子）
D: 厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
举一反三
- 金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用 N型半导体材料。_
- 金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
- 一般电子迁移率（）空穴迁移率，因此，霍尔元件多用（）型半导体材料。霍尔元件越（），灵敏度系数[img=17x18]17e447bc2c101e6.jpg[/img]就越 （）。
- 一般电子迁移率（）空穴迁移率，因此，霍尔元件多用（）型半导体材料。霍尔元件越（），灵敏度系数就越 （）。/ananas/latex/p/167196
- 下面关于霍尔元件描述正确的是： A: 霍尔元件的霍尔系数RH=ρμ，材料的ρ、μ大，RH就大，霍尔效应越强。 B: 霍尔元件的灵敏度KH=RH/d，相同材料，d越小，霍尔元件的灵敏度越高，所以霍尔元件都做成薄片。 C: 霍尔元件多采用N型半导体材料。 D: 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度、方向有关。