下列描述中那一条 不正确（ ）
A: 金属材料电子浓度很高，RH 很大，UH 很小
B: 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件。
C: 半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体（多电子）
D: 厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
A: 金属材料电子浓度很高，RH 很大，UH 很小
B: 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件。
C: 半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体（多电子）
D: 厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
A
举一反三
- 金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用 N型半导体材料。_
- 金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
- 一般电子迁移率（）空穴迁移率，因此，霍尔元件多用（）型半导体材料。霍尔元件越（），灵敏度系数[img=17x18]17e447bc2c101e6.jpg[/img]就越 （）。
- 一般电子迁移率（）空穴迁移率，因此，霍尔元件多用（）型半导体材料。霍尔元件越（），灵敏度系数就越 （）。/ananas/latex/p/167196
- 下面关于霍尔元件描述正确的是： A: 霍尔元件的霍尔系数RH=ρμ，材料的ρ、μ大，RH就大，霍尔效应越强。 B: 霍尔元件的灵敏度KH=RH/d，相同材料，d越小，霍尔元件的灵敏度越高，所以霍尔元件都做成薄片。 C: 霍尔元件多采用N型半导体材料。 D: 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度、方向有关。
内容
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任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但是一般采用____材料来做霍尔元件。 A: 金属 B: P型半导体 C: N型半导体 D: 绝缘
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霍尔元件通常选择N型半导体，因为电子的迁移率比空穴大。
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关于霍尔元件灵敏度的描述正确的是 A: 金属导体自由电子浓度越高，霍尔元件灵敏度越大 B: 霍尔元件灵敏度与霍尔元件的材料无关 C: 在条件相同的情况下，霍尔元件灵敏度越大，霍尔电压越小 D: 霍尔元件灵敏度是反映霍尔材料的霍尔效应强弱的重要参数
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霍尔元件常采用半导体材料制造，主要原因是半导体材料（ ） A: 电子迁移率高，电阻率很小。 B: 电子迁移率极低，电阻率极高。 C: 电子迁移率极低，电阻率很低。 D: 电子迁移率较大，电阻率较大。
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一般空穴的迁移率小于电子的迁移率，因此制作霍尔元件时多采用P型半导体材料以获得更好的性能。 A: 正确 B: 错误