金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
举一反三
- 金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用 N型半导体材料。_
- 一般电子迁移率（）空穴迁移率，因此，霍尔元件多用（）型半导体材料。霍尔元件越（），灵敏度系数[img=17x18]17e447bc2c101e6.jpg[/img]就越 （）。
- 一般电子迁移率（）空穴迁移率，因此，霍尔元件多用（）型半导体材料。霍尔元件越（），灵敏度系数就越 （）。/ananas/latex/p/167196
- 下列描述中那一条 不正确（ ） A: 金属材料电子浓度很高，RH 很大，UH 很小 B: 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件。 C: 半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体（多电子） D: 厚度d越小，霍尔灵敏度越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米
- 由于半导体材料的载流子浓度和电子迁移率适中，故半导体材料适于制作霍尔元件。（ ）