在IC制造工艺流程中，使用最为频繁的工艺是
A: 加热工艺
B: 离子注入工艺
C: 光刻工艺
D: 沉积工艺
A: 加热工艺
B: 离子注入工艺
C: 光刻工艺
D: 沉积工艺
举一反三
- 在IC制造工艺流程中，必须在光学区进行操作的工艺是 A: 加热工艺 B: 离子注入工艺 C: 光刻工艺 D: 沉积工艺
- 下列工艺中，不使用等离子体的是哪项？ A: 光刻工艺 B: 刻蚀工艺 C: 掺杂工艺 D: 沉积工艺
- 快速成形制造工艺中，哪种工艺不必采用专门的支撑结构？ A: 熔融沉积制造（FDM）工艺 B: 选择性激光烧结（SLS）工艺 C: 立体光刻（SL）工艺 D: 分层实体制造（LOM）工艺
- 快速成形制造工艺中，哪种工艺要求支撑材料的流动性好？ A: 分层实体制造（LOM）工艺 B: 选择性激光烧结（SLS）工艺 C: 立体光刻（SL）工艺 D: 熔融沉积制造（FDM）工艺
- IC制造工艺包括()等工艺。 A: 外延生长 B: 掩膜制造 C: 氧化 D: 光刻