当半导体表面被加热至稳定状态时，气体接触半导体表面而被吸附，吸附的分子首先在半导体表面自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发掉，另一部分分子固定在吸附处。
举一反三
- 气体在固体表面吸附,若固体表面与被吸附分子之间的作用力是分子间力,这种吸附称为() A: 化学吸附 B: 物理吸附 C: 正吸附 D: 负吸附
- 化学吸附是有些固体物质表面具有活性，发生吸附时被吸附的分子表面发生（）。
- Langmuir吸附模型的基本假设包括,气体在固体表面吸附是单分子层的,固体表面是均匀的,被吸附分子间无相互作用。(<br/>)
- 有一单原子分子理想气体与一吸附面接触,被吸附分子 与外部气体分子相比,其能量中多一项吸引势能[tex=1.429x1.214]BC4k0oD7NGWLToA00Y0kLQ==[/tex] .设被吸附的分子可以在吸附面上自由运动,形成二维理想气体,又设外部气体与被 吸附的二维气体均满足经典极限条件. 已知外部气体的温度为 T, 压强为 p . 试求这两部分气体达到平衡时,二维气体单位面积内的分 子数.
- 一般说来,如果半导体表面吸附有气体,则半导体和吸附的气体之间会有电子的施受发生,造成电子迁移,从而形成表面电荷层。