下面关于PN结的描述中正确的是（）
P接高电位、N接低电位时称为正向偏置
举一反三
- 关于PN结的电容效应，下面描述正确的是：（ ）
- 下面关于PN结的反向击穿特性，描述正确的是：
- 下面关于PN结外加正向电压时的特性，描述正确的是：
- 关于 pn 结，下列说法中不正确的是（ ） A: 所谓平衡 pn 结指的是热平衡状态下的pn结 B: pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用 C: 平衡时，pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等 D: pn结是结型半导体器件的心脏。
- 关于pn结,下列说法中不正确的是( ) A: pn结是结型半导体器件的心脏。 B: pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。 C: 平衡时,pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。 D: 所谓平衡pn结指的是热平衡状态下的pn结。
内容
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下面关于创新的描述中正确是（）。
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中国大学MOOC: 二极管内部是一个PN结，关于PN结说法正确的是（ ）
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以下对PN结特点描述正确的是（）。
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下面关于PN结，描述中正确的是（ ）。 A: P接高电位、N接低电位时称为正向偏置 B: PN结正偏时空间电荷区变厚 C: PN结反偏时截止，没有任何电流 D: P型半导体的少数载流子是空穴
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下列关于PN结的反向特性，描述错误的是：