系统的绝缘层中的主要带电形式有？? 固定电荷|可动离子|界面态|电离陷阱电荷
举一反三
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- <img src="http://nos.netease.com/edu-image/d3e85592-8b73-4d91-b822-a4a1513a3892.JPG" />? <img src="http://nos.netease.com/edu-image/fc77e711-9bfe-48d2-8d59-ad6c1669087a.JPG" />|<img src="http://nos.netease.com/edu-image/6b97d8a3-d1d7-4d1d-819f-69732266994c.JPG" />|<img src="http://nos.netease.com/edu-image/9ade4cf7-7d03-4862-b534-fd4290e4e16b.JPG" />|<img src="http://nos.netease.com/edu-image/cbb5de24-a729-4159-9e2d-20221edcd6e8.JPG" />
- <img src="http://nos.netease.com/edu-image/5428abb2-2f0a-40eb-af07-26ce344048ff.jpg" />? <img src="http://nos.netease.com/edu-image/d9983625-8ed4-4859-96e8-807d77768902.jpg" />|<img src="http://nos.netease.com/edu-image/5569d8a1-f417-4a74-bd46-76f26adf9987.jpg" />|<img src="http://nos.netease.com/edu-image/ec531368-9159-49c7-baa9-6ecbac263604.jpg" />|<img src="http://nos.netease.com/edu-image/6875cd06-948f-4a9a-9cbb-0a1684827d37.jpg" />
- 最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态