• 2022-07-01
    最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj
    A: 半导体界面陷阱态
    B: 栅介质层中的固定电荷
    C: 栅介质层中的可动电荷
    D: 栅介质层的陷阱态
  • A
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    内容

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      由于栅氧化层中通常带()电荷,所以()型区比()型区更容易发生反型。

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      以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是( )。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱

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      ‎以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是( )。‎ A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱

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      为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限?为什么现在需要高K值(介电常数)的栅介质?低K介质用在什么地方?为什么?

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      Si/SiO2系统的4种电荷,能与半导体交换载流子的是 A: SiO2中的可动离子 B: SiO2中的固定电荷 C: SiO2中的陷阱电荷 D: Si/SiO2界面的快界面态