最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj
A: 半导体界面陷阱态
B: 栅介质层中的固定电荷
C: 栅介质层中的可动电荷
D: 栅介质层的陷阱态
A: 半导体界面陷阱态
B: 栅介质层中的固定电荷
C: 栅介质层中的可动电荷
D: 栅介质层的陷阱态
A
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举一反三
- 理想MOS结构是( )。 A: 金半功函数差为零 B: 栅氧化层内有效电荷密度不为零 C: 栅氧化层与半导体界面处存在界面态 D: 无法确定
- 对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
- Si/SiO2系统中常见的四种电荷态,那种最影响亚阈值摆幅? A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
- MIS结构中,半导体表面层产生电场的原因有( ).jj A: 外加偏压 B: MS功函数差 C: 氧化层中有电荷 D: 半导体表面存在界面态
内容
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由于栅氧化层中通常带()电荷,所以()型区比()型区更容易发生反型。
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以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是( )。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 2
以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是( )。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
- 3
为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限?为什么现在需要高K值(介电常数)的栅介质?低K介质用在什么地方?为什么?
- 4
Si/SiO2系统的4种电荷,能与半导体交换载流子的是 A: SiO2中的可动离子 B: SiO2中的固定电荷 C: SiO2中的陷阱电荷 D: Si/SiO2界面的快界面态