最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj
A: 半导体界面陷阱态
B: 栅介质层中的固定电荷
C: 栅介质层中的可动电荷
D: 栅介质层的陷阱态
A: 半导体界面陷阱态
B: 栅介质层中的固定电荷
C: 栅介质层中的可动电荷
D: 栅介质层的陷阱态
举一反三
- 理想MOS结构是( )。 A: 金半功函数差为零 B: 栅氧化层内有效电荷密度不为零 C: 栅氧化层与半导体界面处存在界面态 D: 无法确定
- 对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
- Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
- MIS结构中,半导体表面层产生电场的原因有( ).jj A: 外加偏压 B: MS功函数差 C: 氧化层中有电荷 D: 半导体表面存在界面态