【单选题】对于绝缘栅双极性晶体管(IGBT)来说,下面说法错误的是
A. IGBT具有擎住效应 B. IGBT具有二次击穿效应 C. IGBT是电压驱动型电力电子器件 D. IGBT是复合型电力电子器件
A. IGBT具有擎住效应 B. IGBT具有二次击穿效应 C. IGBT是电压驱动型电力电子器件 D. IGBT是复合型电力电子器件
举一反三
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 具有锁定(擎住)效应的电力电子器件是( )。 A: 电力晶体管 B: 晶闸管 C: 可关断晶闸管 D: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
- 【多选题】关于IGBT下列说法正确的是() A. IGBT是不可控元器件。 B. 因为IGBT的特殊结构，IGBT具有很强的电流控制能力。 C. 开关状态的IGBT工作在有源区。 D. IGBT是全控型电力电子器件