MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
举一反三
- MOSFET的饱和漏极电流由()电压决定。 A: 栅极 B: 源极 C: 漏极 D: 体
- MOSFET利用（ ）电压控制（ ）电流的大小，是（ ）器件。 A: 栅漏，漏极，电流控制电流 B: 栅源，漏极，电压控制电流 C: 漏源，漏极，电流控制电压 D: 栅源，栅极，电流控制电压
- 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压
- 电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ）