位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级
举一反三
- 位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级 A: 正确 B: 错误
- 关于位错增殖正确的说法是() A: 位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级 B: 位错源只有Frank-Read这一种类型 C: F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力 D: F-R源中位错线弯曲成半圆状态时,两端点位错必为同性质、异号位错
- 晶体的强度随位错密度的提高而提高。 A: 对 B: 错
- 晶体在滑移过程中，（） A: 由于位错不断滑出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少 B: 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增加 C: 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少 D: 由于位错的消失（移除滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
- 在晶体滑移过程中（） A: 由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少 B: 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高 C: 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少 D: 由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变