关于位错增殖正确的说法是()
A: 位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级
B: 位错源只有Frank-Read这一种类型
C: F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力
D: F-R源中位错线弯曲成半圆状态时,两端点位错必为同性质、异号位错
A: 位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级
B: 位错源只有Frank-Read这一种类型
C: F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力
D: F-R源中位错线弯曲成半圆状态时,两端点位错必为同性质、异号位错
