二极管电路如图所示，已知二极管的反向击穿电压为50V，当电源电压V=20V时，图中电流I=2µA，当电压电压升到40V时，电流I近似为 。[img=158x120]18030de731412cd.png[/img]
A: 1µA
B: 2µA
C: 4µA
D: 0.2µA
A: 1µA
B: 2µA
C: 4µA
D: 0.2µA
举一反三
- 二极管电路如图所示，已知二极管的反向击穿电压为50V，当电源电压V=20V时，图中电流I=2µA，当电压电压升到40V时，电流I近似为 。[img=158x120]18030dddd7ceede.png[/img] A: 1µA B: 2µA C: 4µA D: 0.2µA
- 二极管电路如图所示，已知二极管的反向击穿电压为50V，当电源电压V=20V时，图中电流I=2µA，当电压电压升到40V时，电流I近似为 。[img=158x120]18030dee4fb0974.png[/img] A: 1µA B: 2µA C: 4µA D: 0.2µA
- 二极管电路如图所示，已知二极管的反向击穿电压为50V，当电源电压V=20V，温度为20℃时，电流I=2µA，当电压电压保持20V不变，温度降到10℃时，电流I近似为 。[img=158x120]18030de7354da89.png[/img] A: 1µA B: 2µA C: 4µA D: 0.2µA
- 已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA 。 当V增加到20V时，I将____。[img=194x118]1803c5dae46986d.jpg[/img] A: 为2μA 左右 B: 小于1μA C: 变化不大 D: 远大于2μA
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。