• 2022-06-03
    二极管电路如图所示,已知二极管的反向击穿电压为50V,当电源电压V=20V时,图中电流I=2µA,当电压电压升到40V时,电流I近似为 。[img=158x120]18030dee4fb0974.png[/img]
    A: 1µA
    B: 2µA
    C: 4µA
    D: 0.2µA
  • B

    内容

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      按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。

    • 1

      已知图1电路中的US1= 4 V,IS1= 2 A。用图 2 所示的理想电压源代替图 1所示的电路,该等效电压源的参数US为( )。[img=311x127]17e439318bf4c5b.png[/img] A: -4 V B: 4 V C: -2 V D: 2 V

    • 2

      已知图1电路中的US1 = 4 V, IS1 = 2 A。用图 2 所示的理想电压源代替图 1所示的电路,该等效电压源的参数US为( )。[img=311x127]18039595ad93083.jpg[/img] A: -4 V B: 4 V C: -2 V D: 2 V

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      在上述电路的默认参数中,当二极管反向工作时,当反向电源电压加()V时,二极管会反向击穿

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      (1)在如图所示的电路中,已知二极管的反向击穿电压为50V,$V$=15V、温度为20℃时,$I$=1μA; 当某一物理量参数变化时,其余参数不变。当$V$降低到5V时,则$I$ ______ ;