IGBT之间只要施加正向电压且大于开启电压，IGBT就可以导通；只要施加反向电压IGBT就可以关断（）
A: 栅极与漏极
B: 栅极与源极
C: 源极与漏极
D: 均不对
A: 栅极与漏极
B: 栅极与源极
C: 源极与漏极
D: 均不对
B
举一反三
- 对N沟道增强型场效应管工作原理描述正确的是（ ） A: 栅极和源极之间加直流电压时，产生导电沟道 B: 当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少 C: 栅极和源极之间不加电压时，无导电沟道产生 D: 栅极和源极之间加直流电压大于开启电压时，漏极和源极之间加正向电压，有漏极电流产生
- 场效应晶体管是用（）控制漏极电流的。 A: 漏极电压 B: 栅极电流 C: 栅极电压 D: 源极电压
- 场效应管的工作原理是() A: 栅源电压控制漏极电流 B: 栅源电压控制漏极电压 C: 栅极电流控制漏极电流 D: 栅极电流控制漏极电压
- IGBT的三个引出电极分别是（）。 A: 阳极、阴极、门极 B: 阳极、阴极、栅极 C: 栅极、漏极、源极 D: 栅极、发射极、集电极
- IGBT的3个引出电极分别是（） A: 阳极、阴极、门极 B: 阳极、阴极 栅极 C: 栅极、源极 漏极 D: 发射极、栅极、集电极
内容
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电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
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IGBT是全控型器件,通过栅极和源极之间的控制电压uGE,既可以控制IGBT开通,也可以控制IGBT关
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当IGBT的栅极电压大于开启电压时，IGBT导通
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场效应管是利用( )(栅极、漏极、源极)电压来控制( )(栅极、漏极、源极)电流大小的半导体器件
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描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。 A: 漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B: 漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C: 基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D: 漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量