关于位错的观察，说法正确的是（）
A: 浸蚀观察法观察到的其实是位错的蚀坑
B: 蚀坑具有规则的外形，如三角形，正方形等规则的几何外形
C: 晶体内部位错无法浸蚀观察
D: 位错密度很大的晶体也能浸蚀观察
A: 浸蚀观察法观察到的其实是位错的蚀坑
B: 蚀坑具有规则的外形，如三角形，正方形等规则的几何外形
C: 晶体内部位错无法浸蚀观察
D: 位错密度很大的晶体也能浸蚀观察
举一反三
- 利用（）观察位错有一定的局限性，它只能观察在表面露头的位错，而在晶体内部的位错则无法显示。 A: 缀饰法 B: 透射电镜 C: 蚀坑 D: 场离子显微镜观测方法
- 关于位错密度与晶体材料,以下说法正确的是 A: 退火后位错密度较低，晶体强度也较低； B: 冷变形后位错密度升高，晶体强度更低； C: 冷变形后位错密度升高，强度反而升高； D: 位错极少的晶须强度很高。
- 关于位错的性质，下列说法不正确的是（） A: 位错不一定是直线 B: 位错是已滑移区和未滑移区的边界 C: 位错可以中断于晶体内部 D: 位错不能中断于晶体内部
- 关于位错密度与晶体材料，以下说法正确的是 A: 退火后位错密度较低，晶体强度也较低；； B: 点缺陷的产生冷变形后位错密度升高，晶体强度更低使熵增加； C: 点缺陷的产生使自由能增加冷变形后位错密度升高，强度反而升高； D: 位错极少的晶须强度很高。
- 位错具有重要的性质，下列说法不正确的是 （ ） A: 位错不一定是直线 B: 位错是已滑移区和未滑移区的边界 C: 位错可以中断于晶体内部 D: 位错在晶体表面露头