通过扩散或者离子注入后,需要“激活”杂质原子,即使杂质原子与晶格中的硅原子成键。(
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举一反三
- 填隙式扩散指杂质进入晶体后，占据晶格原子的原子空位，在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进。空位可以自身存在，也可以由杂质原子进入产生。
- 在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（） A: 取代原子 B: 空位原子 C: 杂质原子 D: 填隙原子
- 外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子，杂质原子既可以进入间隙位，也可以取代原有原子进入正常结点位置。
- 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。 A: 离子注入 B: 溅射 C: 淀积 D: 扩散
- 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。