关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。 A: 离子注入 B: 溅射 C: 淀积 D: 扩散 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A: 离子注入B: 溅射C: 淀积D: 扩散 答案： 查看 举一反三 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。 A: A离子注入 B: B溅射 C: C淀积 D: D扩散 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 下面属于物理气相淀积方法的是（） A: 真空蒸发 B: 溅射 C: 扩散 D: 刻蚀 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。 使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入
