关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-01 离子注入不可以使用金属薄膜作为掺杂掩膜。 A: 正确 B: 错误 离子注入不可以使用金属薄膜作为掺杂掩膜。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 离子注入不可以使用金属薄膜作为掺杂掩膜。 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应 离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘 锂金属电池不可作为二次电池使用。 A: 正确 B: 错误 重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮 栅、电极等。 A: 正确 B: 错误
