中国大学MOOC: 离子注入不可以使用金属薄膜作为掺杂掩膜。
举一反三
- 离子注入不可以使用金属薄膜作为掺杂掩膜。 A: 正确 B: 错误
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 中国大学MOOC: 重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮栅、电极等。
- 离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
- 中国大学MOOC: 发酵液中金属离子可以使金属离子生成（ ）或者络合物，消除金属离子对后续分离过程的影响或过滤除去。