关于离子注入,说法错误的是()
A: 离子注入可以制备超浅结
B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层
C: 原子越重,核阻止越大
D: 高能离子,以核阻止为主
A: 离子注入可以制备超浅结
B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层
C: 原子越重,核阻止越大
D: 高能离子,以核阻止为主
举一反三
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 注入离子越轻,临界剂量越小; B: 靶温升高,临界剂量上升; C: 注入离子能量越高,临界剂量越低; D: 注入离子剂量率增大,临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高,临界剂量上升; B: 注入离子剂量率增大,临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高,临界剂量越低; D: 注入离子越轻,临界剂量越小;
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高,临界剂量上升; B: 注入离子剂量率增大,临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高,临界剂量越低; D: 注入离子越轻,临界剂量越小;
- 对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于()。 A: 入射离子的能量 B: 入射离子的质量 C: 入射离子的原子序数 D: 靶原子的质量、原子序数、原子密度 E: 注入离子的总剂量
- 关于离子注入掺杂,说法正确的有() A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应