砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有（）
A: 吸收系数小
B: 禁带宽度大
C: 耐辐射性能好
D: 可以做得很薄
A: 吸收系数小
B: 禁带宽度大
C: 耐辐射性能好
D: 可以做得很薄
A,A,A,A,A,A
举一反三
内容
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制作霍尔元件的主要材料有（ ）、（ ）、（ ）等。 A: GaAs(砷化镓) B: InSb(锑化铟) C: Si(硅) D: 以上都是
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在LED发光材料中，试任写四种 A: （砷化镓（GaAs））（ B: 氮化镓（GaN）） C: （磷化镓（GaP）） D: （氧化锌（ZnO））
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不属于磷砷化镓显示单元的优点是（） A: 寿命长、读出角度大 B: 视差小 C: 可以直接由集成电路驱动 D: 损耗功率小
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典型的半导体有 A: 硅(Si) B: 锗(Ge) C: 砷化镓(GaAs) D: 铁（Fe）
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【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV