高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是（）
A: 高速电子与靶物质轨道电子作用的结果
B: X线的质与高速电子的能量有关
C: X线的波长由跃迁的电子能量差决定
D: 靶物质原子序数较高的X线的能量大
E: 70kVp以下钨靶不产生
A: 高速电子与靶物质轨道电子作用的结果
B: X线的质与高速电子的能量有关
C: X线的波长由跃迁的电子能量差决定
D: 靶物质原子序数较高的X线的能量大
E: 70kVp以下钨靶不产生
举一反三
- 高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是（） A: X线的质与高速电子的能量有关 B: X线的波长由跃迁的电子能量差决定 C: 靶物质原子序数较高的X线的能量大 D: 70kVp以下钨靶不产生
- 共用题干题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。 有关特征X线的解释，错误的是（） A: 高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B: 特征X线的质取决于高速电子的能量 C: 特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D: 靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E: 70kVp以下钨不产生K系特征X线
- 高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。这种条件下产生的X线的叙述，正确的是（） A: 具有各种频率 B: 能量与电子能量成正比 C: 称为特征X线 D: 可发生在任何管电压 E: X线的能量等于两能级的和
- 高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。这种条件下产生的X线的叙述，正确的是（） A: 能量与电子能量成正比 B: 称为特征X线 C: 可发生在任何管电压 D: X线的能量等于两能级的和
- 高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是（） A: 高速电子的动能 B: 靶面物质 C: 管电压 D: 阴极加热电流 E: 有效焦点大小