4.在如下器件中，属于半控型器件的是________。
A: 电力二极管（Power Diode）
B: 晶闸管（SCR）
C: 电力晶体管（GTR）
D: 门极可关断晶闸管（GTO）
A: 电力二极管（Power Diode）
B: 晶闸管（SCR）
C: 电力晶体管（GTR）
D: 门极可关断晶闸管（GTO）
举一反三
- 5.在如下器件中，属于不可控器件的是________。 A: 电力二极管（Power Diode） B: 晶闸管（SCR） C: 门极可关断晶闸管（GTO） D: 电力晶体管（GTR）
- 门极可关断晶闸管（GTO）和电力晶体管（GTR）均属于（）型器件
- 18.在如下器件中，属于电流驱动的是________。 A: 门极可关断晶闸管（GTO） B: 晶闸管（SCR） C: 电力晶体管（GTR） D: 电力场效应管（电力MOSFET） E: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
- 在如下器件中，属于电压驱动的是________。 A: 晶闸管（SCR） B: 门极可关断晶闸管（GTO） C: 电力场效应管（电力MOSFET） D: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）