IGCT是______ 和(GTO,gto)的复合。
IGCT是______ 和(GTO,gto)的复合。
电力电子器件（Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR）中，电流容量最大的是（），开关频率最高的是（） A: GTO, Power MOSFET B: IGBT, GTO C: GTR, GTO D: GTO, IGBT
电力电子器件（Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR）中，电流容量最大的是（），开关频率最高的是（） A: GTO, Power MOSFET B: IGBT, GTO C: GTR, GTO D: GTO, IGBT
【单选题】电力电子器件(Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR)中,电流容量最大的是(),开关频率最高的是() A. GTO, IGBT B. GTO, Power MOSFET C. IGBT, GTO D. GTR, GTO
【单选题】电力电子器件(Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR)中,电流容量最大的是(),开关频率最高的是() A. GTO, IGBT B. GTO, Power MOSFET C. IGBT, GTO D. GTR, GTO
在下列电力电子器件中，关断时间排序是 A: SCR>GTO>MOSFET>GTR B: GTR>SCR>GTO>MOSFET C: MOSFET>GTR>SCR>GTO D: GTO>MOSFET>GTR>SCR E: SCR>GTO>GTR>MOSFET F: SCR
在下列电力电子器件中，关断时间排序是 A: SCR>GTO>MOSFET>GTR B: GTR>SCR>GTO>MOSFET C: MOSFET>GTR>SCR>GTO D: GTO>MOSFET>GTR>SCR E: SCR>GTO>GTR>MOSFET F: SCR
IGBT综合了()的优点。 A: MOSFET和GTO B: MOSFET和GTR C: GTR和GTO D: SCR和GTO
IGBT综合了()的优点。 A: MOSFET和GTO B: MOSFET和GTR C: GTR和GTO D: SCR和GTO
GTO的电流关断增益一般较小，这是GTO的一个主要缺点
GTO的电流关断增益一般较小，这是GTO的一个主要缺点
GTO的关断增益一般只有5左右，这是GTO的主要缺点
GTO的关断增益一般只有5左右，这是GTO的主要缺点
GTO是指（）。
GTO是指（）。
(-----)为GTO符号
(-----)为GTO符号
GTO的主要参数有( )
GTO的主要参数有( )