三极管的饱和管压降一般为 V
0.3
举一反三
内容
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NPN型三极管的饱和压降UCES大约为 V
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bjt的饱和压降一般比mos管的要大
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三极管的静态工作点中，UBE的正向压降，硅管大约0.2V ,锗管大约 0.65 V。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 三极管的静态工作点中，UBE的正向压降，硅管大约0.2V ,锗管大约 0.65 V。
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下列二极管正向压降正确的是（ ） A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V