硅管的导通压降约为 V，锗管的导通压降约为 V。
举一反三
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 硅二极管导通时的正向压降约为____V,锗二极管导通时的正向压降约为____V。
- 在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
- 硅二极管导通时的正向管压降约 ____v,锗二极管导通时的管压降约 ____v